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Industry news

手机充电历程

Release time:[2017-06-09]Views:8285
1.QC1.0充电协议:
突破了BC1.2充电协议的最大1.5A电流极限。
达到5V2A,充电时间缩短40%

2.QC2.0快充协议:   识别芯片:  FP6601 / FP6600
开启了高电压充电时代,打破多年的常规5V输出电压标准提升至9V/12V/20V,
通过识别USB的D+/D-电压,与QC2.0识别IC进行握手识别,
输出方案:5V2A、9V2A、12V1.5A(18W),
并且线材不需要特殊处理旧有线材都能够通用。

3.QC3.0快充协议:     识别芯片: FP6601Q
QC2.0的升级版本,走的是精细路线, 采用INOV算法,以0.2V为一档调整,
最低可下探至3.6V最高电压20V,并且向下兼容QC2.0:9V,12V,20V。
由于Type-c接口逐步取代原来的MicroUSB接口,最大电流也提升到了3A;
标准输出方案:3.6V~6.5V3A,6.5V~9V2A,9V~12V1.5A      (18W)

4.QC4.0快充协议:
QC4.0快充识别IC(待更新添加),会在第一时间更新帖子,请期待。

2016年11月17日,高通刚刚在纽约的骁龙技术峰会上发布了新一代的快充技术QC4.0。高通认为,快充已经成为了影响用户购买设备的重要因素之一,高通最新的QC4.0快充技术,能够给用户带来让人满意的快速充电体验。高通用“5 FOR 5”来形容QC4.0,这项技术能在充电5分钟的的情况下,让用户使用5个小时(电池容量:2750mAh),它可以在15分钟内,将一个电池容量为2750mAh的设备充至50%的电量。QC4.0向下兼容以往的QC3.0/QC2.0快充,支持USB Type-C、USB PD。 

5.QC4.0快充协议的改进主要在以下几个方面:

                             1、支持USB Type-C、USB PD,具备更强的兼容性;

                             2、在节电器中增加了更先进的技术,延长电池使用寿命,提升充电的安全性;

                             3、通过INOV算法最大化提升充电效率 (即QC3.0的:20mV为一档),优化充电过程,减少发热;

                             4、使用第二个电源管理芯片以提供双重快充,结合智能热平衡设计,优化充电效率。

6.QC4.0快充识别IC:将会第一时间更新,期待。

QC4.0技术将最高功率调整到28W,方案设计为5V/4.7A~5.6A和9V/3A,舍弃了12V的设计,且步进电压调整为10mV。目前的QC3.0常见方案为输出3.6V~6.5V3A,6.5V~9V2A,9V~12V1.5A,标称最大输出功率18W。如此一来,QC4.0将支持大电压与大电流两种方案,充电速度进一步提升的同时也将改善发热以及对电池的损耗。

7.QC4.0快充电源管理芯片(即手机端)

QC4.0快充协议使用了最新的电源管理芯片SMB1380和SMB1381


QC4.0快充协议虽然已经发布。但是相关手机产品,IC厂商的快充识别IC,电源管理芯片还未出来,个人估计也要到7/8月份左右。现还是QC3.0独占鳌头,所以QC4.0快充这块还不用太过于专注,多了解一下即可。

 

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